（原标题：联电先进封装，拿下大客户）
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来源：内容来自经济日报。
联电跨足先进封装大跃进，夺下高通大单，自行开发的高阶中介层（Interposer）也获得高通验证，迈入量产出货倒数计时阶段。法人看好，联电透过跨国合作，携手国际大厂抢食AI等高速运算大商机，后市看俏，并可藉由差异化优势，降低红色供应链在成熟制程晶圆代工市场激烈竞争的干扰。
联电不评论特定客户，强调先进封装是该公司积极发展的重点，将携手智原、矽统等转投资事业，以及华邦等记忆体伙伴，携手打造先进封装生态系。
联电去年底携手高通展开高速运算先进封装合作，锁定AI PC、车用，以及当红的AI伺服器市场，陆续传出捷报。
供应链透露，联电第一批中介层1500电容已通过高通的电性测试，目前开始试产，预计2026年首季有机会量产出货，高通并购置炉管机台放在联电厂房，凸显双方合作紧密。业界分析，此次联电通过高通认证的产品采用1500nF/mm^2电容，主要搭配高通的IC和记忆体所需要的电容值。
业界人士指出，联电布局先进封装，先前在制程端仅供应中介层，应用在RFSOI制程，对营收贡献有限。随着高通采用联电先进封装制程打造高速运算芯片，近期双方合作又进一步发展．对联电来说将能降低红色供应链在成熟制程的低价竞争，闯出一条不同之路。
先进封装技术方面，例如2.5D和3D封装这些封装方式需要将多个芯片堆叠或并排放置，这时候中介层电容就显得特别重要。
据悉，先进封装最关键制程就是需要曝光机台制造的中介层，加上需要超高精密程度的矽穿孔，让2.5D或3D先进封装堆叠的芯片讯号可相互联系，联电具备生产中介层的机台设备之外，十年前就已将TSV制程应用超微GPU芯片订单上，等于联电完全具备先进封装制程量产技术的先决条件，是获得高通青睐的主要原因。
法人看好，联电相关策略将强化先进封装生态系与客户黏着度，因为高通不仅下单，甚至购置炉管机台放进联电厂房，显示合作深度高、信任感强，联电也借此串连旗下智原、矽统、华邦等公司及伙伴，进一步建构先进封装的完整生态系。
在切入先进封装领域建立差异化优势之际，联电的晶圆代工本业也积极推进高压制程技术，包括14纳米鳍式场效电晶体（FinFET）嵌入式高压制程技术平台（14eHV）有新进展，与英特尔合作也传出将由原规划的12纳米延伸至6纳米，卡位先进制程市场。
联电去年斥资156亿元投入研发，专注开发5G通讯、AI、物联网及车用电子等领域所需的制程技术，并钻研特殊制程，在12纳米和14纳米特殊制程及3D IC先进封装研发也有进展。
联电董事长洪嘉聪指出，12纳米FinFET制程技术平台（12FFC）相较于14纳米技术（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分发挥FinFET的优势，可广泛应用于各种半导体产品。
洪嘉聪说，与14FFC相比，12纳米技术在优化的FinFET设备下，可实现10%的性能提升，透过降低电压减少20%功耗，采用六走线轨道设计，使面积减少超过10%，并节省三层光罩，进一步增强联电成本竞争力。
联电精进制程研发之余，也扩大国际合作。近期市场传出，联电正探索与英特尔延伸制程合作的可能性。
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